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GB/T 13150-2005半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三级晶闸管空白详细规范

中文名称:半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三级晶闸管空白详细规范

英文名称:Semiconductor devices—Discrete devices—Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A

标准号:GB/T 13150-2005

标准类型CN

发布日期:2005-3-23

实施日期:2005-10-1

摘要:本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一,本标准是参照IEC 60747-6-2:1991、修订GB/T 13150-1991而产生。与IEC 60747-6-2的一致性程度为非等效。

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