中文名称：半导体器件　分立器件　第6部分：晶闸管　第三篇　电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范

英文名称：Semiconductor devices—Discrete devices—Part 6:thyristors—Section three—Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A

标准号：GB/T 13151-2005

标准类型CN

发布日期：2005-3-23

实施日期：2005-10-1

摘要：本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一，等同采用IEC 60747-6-3:1993。

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