中文名称：硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

英文名称：Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

标准号：GB/T 24574-2009

标准类型CN

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-6-1

摘要：本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。 本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。 本标准用于检测单晶硅中含量为1 1011at.cm-3~5 1015 at.cm-3的各种电活性杂质元素。

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