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GB/T 24576-2009高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法

中文名称:高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法

英文名称:Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction

标准号:GB/T 24576-2009

标准类型CN

发布日期:2009-10-30

实施日期:2010-6-1

摘要:本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底<001>方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用本方法测量Al元素含量时,AlGaAs外延层厚度应大于300nm。

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