中文名称：硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法

英文名称：Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

标准号：GB/T 14146-2009

标准类型CN

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-6-1

摘要：本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容－电压测量方法。 本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。

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