中文名称：硅单晶电阻率测定方法

英文名称：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon

标准号：GB/T 1551-2009

标准类型CN

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-6-1

摘要：本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。 本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的４倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距４倍的硅单晶圆片的电阻率。　

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