中文名称：硅和锗体内少数载流子寿命测定　光电导衰减法

英文名称：Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay

标准号：GB/T 1553-2009

标准类型CN

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-6-1

摘要：1.1　本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。

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