中文名称：硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

英文名称：Practice for shallow etch pit detection on silicon

标准号：GB/T 26066-2010

标准类型CN

发布日期：2011-1-10

实施日期：2011-10-1

摘要：本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。

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