中文名称：化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

英文名称：Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method

标准号：GB/T 26070-2010

标准类型CN

发布日期：2011-1-10

实施日期：2011-10-1

摘要：本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。本标准适用于GaAs、InP（GaP、GaSb可参照进行）等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

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