中文名称：硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

英文名称：Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers

标准号：GB/T 4058-2009

标准类型CN

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-6-1

摘要：本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。 本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。 硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。

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