中文名称：半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法　非接触涡流法

英文名称：Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge

标准号：GB/T 6616-2009

标准类型CN

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-6-1

摘要：本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。

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