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GB/T 14847-2010重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

中文名称:重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

英文名称:Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

标准号:GB/T 14847-2010

标准类型CN

发布日期:2011-1-10

实施日期:2011-10-1

摘要:本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底在23℃电阻率小于0.02Ω·cm和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2微米的n型和p型硅外延层厚度的测量;在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试0.5微米~2微米之间的n型和p型外延层厚度。

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