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东芝推出车规级40V N沟道功率MOSFET 采用其最新U-MOS IX-H工艺

  • 2023-10-26 17:29:04
  • 来源:盖世汽车

盖世汽车讯 据外媒报道，东芝电子欧洲分公司（Toshiba Electronics Europe）推出一对采用其最新U-MOS IX-H工艺的车规级40V N沟道功率MOSFET。新器件采用新型S-TOGLTM（Small Transistor Outline Gull-wing Leads，小型晶体管鸥翼引线）封装，可在汽车应用中提供多种优势。

东芝推出车规级40V N沟道功率MOSFET 采用其最新U-MOS IX-H工艺

图片来源：东芝
（管理员）
标签： 锻造  冲压  钣金


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